Tranzystor o symbolu : RJH30E2 PLASTIC (TO-220F)
+ DODAJ DO PRZECHOWALNI
Opis produktu
Tranzystor RJH30E2 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor RJH30E2, wykonany w technologii SILICON N-CHANNEL IGBT, zaprojektowany w obudowie PLASTIC TO-220F, charakteryzuje się napięciem drenu do źródła VDSS wynoszącym 360V oraz maksymalnym prądem drenu ID równym 30A. Element ten znajduje szerokie zastosowanie w wysokonapięciowych aplikacjach przełączających. Dostępność części elektronicznych na rynku ułatwia integrację w zaawansowanych układach elektronicznych.