Tranzystor o symbolu : IRFBC50

Tranzystor IRFBC50

Tranzystor IRFBC50, będący elementem z kategorii części elektronicznych, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła VDSS wynoszącym 600V, prądem drenu ID równym 70A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Urządzenie to, zbudowane w technologii MOSFET, zapewnia szybką komutację przy zachowaniu niskiej rezystancji kanału RDS(on) nie przekraczającej 0.077?.