Tranzystor o symbolu : IRFPF50

Tranzystor IRFPF50

Tranzystor IRFPF50, typ MOSFET, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDSS wynoszącym 900V, prądem drenu ID równym 6.8A oraz maksymalną mocą strat Pd wynoszącą 190W. Jego oporność w stanie przewodzenia RDS(on) osiąga wartość do 0.85?. Znajduje zastosowanie w szerokim zakresie części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.