Tranzystor o symbolu : IRFP250N (TO-247)

IRFP250N (TO-247)

Tranzystor IRFP250N, wykonany w obudowie TO-247, charakteryzuje się napięciem drenu-źródła V_DS wynoszącym 200V oraz prądem drenu I_D na poziomie 30A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, wykazuje niską rezystancję w stanie przewodzenia R_DS(on), co przekłada się na efektywność energetyczną. W kontekście części elektronicznych, IRFP250N jest często wykorzystywany w zasilaczach impulsowych, przetwornicach częstotliwości oraz innych aplikacjach wymagających niezawodnej pracy w szerokim zakresie temperatur.