Tranzystor o symbolu : 2SB649A (TO-126)

Tranzystor 2SB649A (TO-126)

Tranzystor 2SB649A typu PNP, zaprojektowany w obudowie TO-126, cechuje się maksymalnym napięciem kolektora-emitera V_CEO wynoszącym 80V oraz prądem kolektora I_C o wartości do 1.5A. Charakteryzuje go również niska wartość nasycenia oraz wysoka częstotliwość pracy. Znajduje zastosowanie w różnorodnych częściach elektronicznych, w tym w układach wzmacniających i przełączających.